¿RAM que puede contener un juego completo? Samsung ha desarrollado módulos de memoria DDR5 con una capacidad considerable de 512 GB, que además son rápidos y energéticamente eficientes. Esto se ha conseguido gracias a la tecnología de fabricación de chips utilizando un material conocido como HKMG, previamente utilizado con éxito por este fabricante en memorias GDDR6. Se utilizarán en centros de datos y supercomputadoras.
Como afirma Samsung en un comunicado de prensa reciente, la creación de un solo módulo DDR5 con una capacidad tan grande es posible gracias a la tecnología de capas TSV. HKMG permite a la empresa apilar ocho capas de chips DRAM de 16 Gb (2 GB). De esta forma, se pueden lograr altas velocidades de hasta 7200 Mbps. Esto es dos veces más rápido que en el caso de DDR4. El consumo de energía se puede reducir hasta en un 13%, que será particularmente importante en el sector de los servidores, donde la eficiencia energética es a menudo crucial.
No sabemos cuándo los módulos DDR5 de 512 GB pueden estar disponibles para la venta; aún deben someterse a pruebas de verificación y certificación. A finales de año, se espera que la plataforma Alder Lake-S se lance al mercado de consumo, que admitirá memorias DDR5.
HKMG (Puerta de metal de alta k)
Tecnología que se basa en el uso de material con la denominada alta constante dieléctrica en transistores, que reduce la fuga de corriente. Esto hace que el IC sea más eficiente energéticamente, permite una mayor miniaturización y un mayor rendimiento.