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DDR5 con ganancias de rendimiento significativas en comparación con DDR4

marzo 17, 2021

Longsys publicó información sobre el lanzamiento de nuevas memorias DDR5 y, al mismo tiempo, sus resultados de referencia. Los módulos prototipo llamados ES1 tienen una velocidad de reloj base de 4800 MHz y dos variantes: 16 GB y 32 GB. Algunos puntos de referencia informan ganancias de rendimiento de hasta un 112% con respecto a DDR4. Al mismo tiempo, la latencia casi duplicada observada en los resultados de AIDA64 es algo preocupante.

Longsys publicó resultados de dos puntos de referencia, AIDA64 y Ludashi, populares en China:

CL – Latencia CAS

La latencia CL40 (40-40-40-77) puede generar cierta preocupación, pero vale la pena recordar que esta es solo la cantidad de ciclos necesarios para recibir datos de una celda de memoria. Un mejor ancho de banda requiere velocidades de reloj más altas para los chips de RAM, pero al mismo tiempo, el tiempo por ciclo disminuye. Es por eso que, a pesar de aumentar los valores de CL en generaciones sucesivas de memoria DDR, la latencia de acceso en realidad permanece en un nivel similar.

Vale la pena mencionar que los módulos probados cumplían con la especificación JEDEC. Los productos de consumo deben tener una latencia más baja con buenas capacidades de overclocking, especialmente aquellos destinados a jugadores. La plataforma de prueba utilizó una muestra de ingeniería de un procesador de 8 núcleos del próximo Alder Lake de 12a generación de Intel.. Se espera que debute a fines de 2021 y vendrá con un nuevo tipo de enchufe, llamado LGA1700. Las placas base para procesadores de próxima generación serán totalmente compatibles con la memoria DDR5.